텍사스인스트루먼트(TI)는 전력 밀도를 개선하고 시스템 효율성을 극대화하며 AC/DC 소비자 가전 및 산업용 시스템의 크기를 줄일 수 있도록 설계된 저전력 질화 갈륨(GaN) 포트폴리오를 확장한다고 1일 발표했다. 

게이트 드라이버가 통합된 TI의 전체 GaN 전계 효과 트랜지스터(FET) 포트폴리오는 일반적인 열 설계 과제를 해결해 어댑터의 온도를 낮추면서 더 작은 풋프린트로 더 많은 전력을 공급할 수 있다.

새로운 GaN FET 포트폴리오는 LMG3622, LMG3624 및 LMG3626을 포함하여 업계에서 가장 정확한 통합 전류 감지 기능을 제공한다. 이 기능 덕분에 엔지니어들은 외부 션트 저항 없이도 개별 GaN 및 실리콘 FET와 함께 사용되는 기존 전류 감지 회로에 비해 관련 전력 손실을 94%까지 줄임으로써 효율성을 극대화할 수 있다.

TI의 GaN FET는 더 빠른 스위칭 속도를 지원해 어댑터가 과열되는 것을 방지할 수 있다. 엔지니어들은 75W 미만 AC/DC 애플리케이션의 경우 최대 94%의 시스템 효율을, 75W 이상의 AC/DC 애플리케이션은 95% 이상의 시스템 효율을 달성할 수 있다. 새로운 장치를 통해 일반적인 67W 전원 어댑터의 솔루션 크기를 실리콘 기반 솔루션에 비해 최대 50%까지 줄일 수 있다.

또 이 포트폴리오는 반공진 플라이백, 비대칭 하프 브리지 플라이백, 인덕터-인덕터 컨버터, 토템폴 역률 보정 및 액티브 클램프 플라이백과 같은 AC/DC 전력 변환에서 가장 일반적인 토폴로지에 최적화돼 있다.