나노기술 전문기업 석경에이티(대표 임형섭)는 과학기술정보통신부의 ‘6G 통신용 Sub-THz 대역 저유전 PCB 소재 및 기판 기술개발’ 국책과제에 참여한다고 13일 밝혔다.

이번 국책과제는 서브 테라헤르츠(Sub-THz) 및 테라헤르츠(THz) 주파수 대역을 이용하는 6G, 위성통신, 항공우주 분야 등의 저유전 인쇄회로기판(PCB)용 원소재와 다층 PCB의 빌드업 공정기술을 다룰 계획이다. 한국전자기술연구원이 주관하며, 총 2단계에 걸쳐 약 5년의 연구개발 기간이 소요된다.

석경에이티 외에 ▲코오롱중앙기술원 ▲LT소재 ▲한국전자기술연구원 ▲한국표준과학연구원 ▲한국실장산업협회 ▲LG이노텍이 공동 연구개발 기관으로 참여한다.

석경에이티는 중공률(Shell 두께) 조절과 균일한 중공 입자 합성 기술을 보유하고 있어 이번 과제에서 핵심적인 역할을 할 것으로 기대된다. 일반적으로 무기 산화물 중 실리카 분말은 유전율이 3.8로 가장 낮으며, 이를 더 낮추기 위해 중공 타입의 분말이 필요하기 때문이다. 중공률이 60%일 경우 유전율은 2 이하로 낮아져 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.

유전체는 사용 주파수의 대역폭이 올라갈수록 유전손실이 증가하므로 100GHz 이상 대역을 커버해야 하는 6G 통신 서비스를 구축하기 위해서는 Sub-THz 주파수 대역에서 신호의 초고속화 및 손실을 최소화할 수 있는 저유전율, 저손실 소재의 개발이 필요한 것이 이번 국책과제의 주요 배경이다.