ACM 리서치(ACM Research, Inc.)는 화합물 반도체 제조를 위한 새로운 종합 장비 시리즈를 출시했다고 4일 밝혔다. ACM의 150mm-200mm 브리지 시스템은 갈륨비소(GaAs), 갈륨질화물(GaN) 및 실리콘카바이드(SiC) 공정을 포함한 화합물 반도체를 위한 프론트엔드 세척 및 광범위한 WLP 애플리케이션을 지원한다. 화합물 반도체 습식 공정 포트폴리오에는 코팅기, 현상액, 포토레지스트(PR) 스트리퍼, 습식 식각 장비, 클리닝 장비 및 금속 도금 장비가 포함되어 있으며, 평면 또는 노치 웨이퍼를 위한 자동화 시스템이 특징이다.
다음은 이번에 선보인 새 장비 시리즈들이다.
■Ultra C SiC cleaning tool
ACM의 Ultra C SiC 세척 장비는 표면 산화를 위한 과산화황 혼합물(SPM)과 잔류물을 제거하기 위한 불화수소산(HF)을 사용하는 SiC 웨이퍼 세척을 진행한다. 또한 ACM의 SAPS 및 Megasonix 기술을 사용하여 장치 기능의 손상 없이 보다 포괄적이며 전면적인 클리닝을 수행한다. Ultra C SiC 세척 장비는 웨이퍼당 10ea0.3um 이하의 입자와 금속함유량이 1E10atoms/cm3 미만으로 고급 세척 성능을 제공한다. 이 장비는 시간당 70개 이상의 웨이퍼 처리량을 제공하며, 2022년 하반기에 출시할 수 있을 것으로 예상된다.
■Ultra C wet etch tool
Ultra C 습식 식각 장비는 10% 미만의 공평면도와 3% 미만의 반복성으로 GaAs 및 인듐 갈륨 인화물(InGaP) 공정에 대해 2% 미만의 균일성을 달성한다. Ultra C 습식 에칭 장비는 고성능 화학적 온도 제어, 에칭 균일성 및 고순도 수소를 제공한다. 최초의 Ultra C 습식 식각 장비는 2021년 3분기에 주요 고객에게 공급되었으며, 초기 고객 테스트를 완료했다.
■Ultra ECP GIII 1309 tool
ACM의 Ultra ECP GIII 1309 장비는 Cu, 니켈(Ni) 및 주석 은(SnAg)을 위한 Cu 기둥 및 솔더는 물론 통합된 사전 습식 및 사후 통합을 통해 재분배층(RDL) 및 범프 언더 금속화(UBM) 공정을 지원한다. 이 장비는 웨이퍼 및 몰드 내에서 3%(최대-최소/2Ave) 미만의 균일성과 2% 미만의 반복성을 달성한다. 최초의 Ultra ECP GIII 1309 장비는 2021년 중반에 주요 고객에게 납품되었으며, 성공적으로 고객 테스트를 완료했다.
■Ultra ECP GIII 1108 tool
Ultra ECP GIII 1108 장비는 사전 습식 및 사후 세척 챔버가 통합된 Au 범핑, 박막 및 딥 비아 프로세스를 제공한다. 스텝 커버리지를 개선하기 위해 딥 비아 도금에 ACM의 입증된 패들 기술을 사용한다. 3% 미만의 웨이퍼 내 및 다이 내 균일성과 2% 미만의 반복성을 달성한다. 챔버와 탱크는 Au 전해질의 산화를 방지하도록 특별히 설계되었으며 탱크에는 산화를 줄이기 위한 질소 가스(N2) 퍼지 기능이 있다. 첫 번째 Ultra ECP GIII 1108 장비는 2021년 말에 주요 고객에게 공급되었으며, 성공적으로 고객 테스트를 완료했다.
■Ultra C ct coating system tool
ACM의 Ultra C ct 접착 장비는 2차 스핀 접착 기술을 사용하여 균일한 접착을 달성한다. 이 장비는 정밀 접착 제어, 자동 세척 기능, 열판 및 냉각판 모듈, 각 캐비티의 독립적인 공정 제어 기능 등 업계 최고의 장점을 가지고 있다.
■Ultra C dv developer tool
화합물 반도체 공정에서 ACM의 Ultra C dv 현상 장비는 노출 후 베이킹, 현상 및 하드 베이킹의 핵심 단계를 수행한다. ACM의 우수한 기술을 활용하여 필요에 따라 +/-0.03 LPM 유량 및 +/-0.5 섭씨 온도 제어를 달성할 수 있다.
■Ultra C s scrubber system
Ultra C s 스크러버 시스템은 ACM의 최첨단 습식 세정 기술에 기반하여 탁월한 오염 물질 제거효과를 달성할 수 있다. N2 스프레이 또는 고압을 통해 고성능을 구현하여 더 작은 입자에 대한 보다 효과적인 클리닝을 제공한다. 또한 ACM의 독점적인 Smart Megasonix 기술과 완벽하게 호환되어 더 미세한 패턴 구조를 손상시키지 않으면서 탁월한 입자 제거 효율(PRE)을 보장한다.
■Ultra C pr wet stripping system
ACM의 Ultra C pr 습식 스트리핑 장비는 습식 벤치 탱크 소킹과 단일 웨이퍼 처리를 모두 활용하여 화합물 반도체 스트리핑의 효율성을 극대화한다. 이 장비는 최근에 선도적인 글로벌 통합 장치 제조업체(IDM)에서 PR 제거에 사용하기 주문하여 ACM의 기술적 우수성을 더욱 입증했다.
■Ultra SFP polishing system
Ultra SFP는 TSV(Through Silicon Via) 공정 및 FOWLP(Fan-out Wafer Level Packaging) 응용 분야에서 기존의 화학 기계 연마에 대한 환경 친화적인 대안을 제공한다. TSV 응용 분야에서 ACM의SFP 시스템은 독점적인 전기 폴리싱 기술을 사용하여 벌크 구리 과부하를 0.2µm까지 제거하고, 기존의 CMP를 사용하여 남은 구리를 장벽 층까지 더 제거하며, 그리고 습식 에치를 사용해서 장벽 층은 제거한다. 이것으로 소모재 원가를 현저하게 절감할 수 있다. FOWLP의 경우 동일한 공정은 두꺼운 구리층의 응력에 의한 웨이퍼 뒤틀림을 제거할 수 있으며, RDL에서 과도한 구리 부담하고 평탄화에 적용된다.