SK하이닉스는 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노급 5세대(1b) 기술 개발을 완료하고, 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 ‘인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램(The Intel Data Center Certified memory program)’ 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다.

이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 제온 스케일러블 플랫폼(Intel® Xeon® Scalable platform)에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 절차다. 

이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)로 현존 DDR5 중 최고 속도를 구현했다. 

또 회사는 이번 1b DDR5에 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용해 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다. SK하이닉스는 앞서 지난해 11월 모바일 D램에서 HKMG 공정을 세계 최초로 도입한 8.5Gbps LPDDR5X를 출시한 바 있고, 올 1월에는 9.6Gbps LPDDR5T 모바일 D램에도 HKMG 공정을 적용했다. 

SK하이닉스 김종환 부사장(DRAM개발담당)은 “이번 제품에 앞서 지난 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서(4th Gen Intel® Xeon® Scalable processors)에 적용해 업계 최초로 인증 받았다"면서 “내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, HBM3E로도 확대 적용할 것”이라고 밝혔다.

한편 SK하이닉스는 인텔 호환성 검증이 완료된 1a DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있도록 추가적인 인증 절차를 함께 진행하고 있다고 덧붙였다.