삼성전자(대표 김기남·김현석·고동진)는 차세대 슈퍼컴퓨터(HPC)와 인공지능(AI) 기반 초고속 데이터 분석에 활용될 수 있는 3세대 고대역폭메모리(HBM2E) D램 '플래시볼트(Flashbolt)'를 출시했다고 4일 밝혔다.

HBM은 실리콘관통전극(TSV) 기술로 D램 칩을 일반 종이(100㎛) 두께의 절반 수준으로 깎은 다음, 수 천개의 미세한 구멍을 뚫고 층층이 쌓아 올려 만든다. 데이터 전달 통로인 입출력(I/O) 숫자가 기존 D램보다 많아 한 번에 데이터를 전송할 수 있는 양(대역폭)이 많다. 

'플래시볼트'는 16GB 용량으로, 기존 2세대(HBM2) '아쿠아볼트(Aquabolt)'보다 속도와 용량이 각 1.3배, 2배 향상됐다. '아쿠아볼트(Aquabolt)'를 세계 최초로 개발해 업계에서 유일하게 양산한 지 2년만에 3세대 HBM2E D램 '플래시볼트'를 출시했다.

이 제품은 1개의 버퍼 칩 위에 10나노급 16Gb(2GB) D램 8개를 쌓아 16GB를 구현했다. '초고집적 TSV 설계 기술'을 적용, D램에 5600개 이상의 구멍을 뚫고 4만개 이상의 TSV 접합볼로 이를 수직 연결했다. 

특히 '신호전송 최적화 회로 설계'를 활용, 총 1024개의 I/O에서 초당 3.2Gb의 속도로 410GB의 데이터를 처리한다. 풀HD(5기가바이트) 영화 82편을 1초에 전달할 수 있는 수준이다. 이를 통해 세계 최초로 초당 4.2Gb까지 데이터 전달 속도 특성을 확보, 향후 특정 분야의 차세대 시스템에서는 538GB를 1초에 처리할 수 있을 것으로 전망된다.

2세대 제품이 초당 2.4Gb 속도로 307GB의 데이터를 전송할 수 있다는 것을 감안하면, 초당 데이터 처리 속도가 1.75배 이상 향상된 셈이다.

삼성전자는 올해 이 제품을 양산, 기존 인공지능(AI) 기반 초고속 데이터 분석과 고성능 그래픽 시스템을 개선하고 슈퍼컴퓨터의 성능 한계를 극복해 차세대 고성능 시스템 적기 개발에 기여할 계획이다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "역대 최고 성능의 차세대 D램 패키지 출시로 빠르게 성장하는 프리미엄 시장에서 사업 경쟁력을 계속 유지할 수 있게 됐다"며 "향후 더욱 차별화된 솔루션을 제공해 독보적인 사업 역량을 강화시켜 나갈 것"이라고 강조했다.

삼성전자는 글로벌 IT 고객들에게 '아쿠아볼트'를 안정적으로 공급하는 한편, 차세대 시스템 개발 협력을 더욱 강화해 '플래시볼트' 시장을 확대, 프리미엄 메모리 시장의 수요 확대를 적극 주도해 나갈 계획이다.