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인피니언, 650V SiC-IGBT 하이브리드 제품군 확대
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인피니언, 650V SiC-IGBT 하이브리드 제품군 확대
  • 오은지 기자
  • 승인 2021.03.03 11:21
  • 댓글 0
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전력반도체 1위 업체 인피니언이 자사 실리콘카바이드(SiC) 제품 포트폴리오를 공격적으로 확대하고 있다.  

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표 이승수)는 650V 쿨시크 하이브리드 절연게이트양극성트랜지스터(CoolSiC™ Hybrid IGBT) 디스크리트 제품군을 출시했다고 17일 밝혔다.

인피니언의 CoolSiC 650V 하이브리드 IGBT. /사진=인피니언
인피니언의 CoolSiC 650V 하이브리드 IGBT. /사진=인피니언

CoolSiC Hybrid 제품군은 650V 'TRENCHSTOP 5' IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC(직류-직류) 파워 컨버터와 PFC(역률 보상)에 매우 적합하다. 

주요 애플리케이션은 배터리 충전 인프라, 에너지 저장 솔루션, 태양광 인버터, UPS(무정전 전원장치), 서버 및 텔레콤 SMPS(스위칭 모드 파워 서플라이) 등이다.

CoolSic Hybrid IGBT 주요 특징
IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합하여, 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 크게 낮춘다.
표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 Eon은 최대 60퍼센트, Eoff는 최대 30퍼센트까지 낮춘다.
출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40퍼센트까지 높일 수 있다.
스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄일 수 있으므로 BOM (bill of materials) 비용을 낮출 수 있다.
TRENCHSTOP 5 IGBT를 Hybrid IGBT로 교체하면 설계 변경 없이 매 10kHz 스위칭 주파수에 효율을 0.1퍼센트 향상시킬 수 있다.

이들 제품은 순수 실리콘 솔루션과 고성능 SiC MOSFET 디자인 사이의 가교 역할을 한다. 순수 실리콘 디자인과 비교해서 Hybrid IGBT는 전자기 적합성과 시스템 신뢰성을 향상시킨다. 또한 쇼트키 배리어 다이오드의 유니폴라 특성으로 다이오드가 심한 발진이나 기생 턴온의 위험 없이 빠르게 스위칭할 수 있다.

패키지는 TO-247-3핀 패키지나 TO-247-4핀 켈빈 이미터 패키지 중에서 선택할 수 있다. 켈빈 이미터 패키지의 네 번째 핀은 인덕턴스가 매우 낮은 이미터 제어 루프를 가능하게 하고 총 스위칭 손실을 낮춘다.

인피니언 CoolSiC 제품군 포트폴리오. /자료=인피니언 홈페이지
인피니언 CoolSiC 제품군 포트폴리오. /자료=인피니언 홈페이지

공급일정 

CoolSiC Hybrid 디스크리트 IGBT 제품군은 현재 주문 가능하다. 40A, 50A, 75A 650V TRENCHSTOP 5 초고속 H5 IGBT에 정격이 절반인 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들과 중간 속도 S5 IGBT에 정격이 동일한 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들을 포함한다. 


 

인피니언 회사 소개

인피니언 테크놀로지스 생활의 편리함과 안전, 그리고 친환경을 추구하는 세계 반도체 솔루션 시장의 선두주자이다. 인피니언의 마이크로일렉트로닉스는 더 나은 미래를 위한 핵심 기술이다. 2020년 회계년도 (9월 30일 마감) 기준 전 세계 약 46,700명의 직원들과 함께 85억 유로 매출을 달성하였다. 2020년 4월 미국 싸이프러스 반도체를 인수하여 인피니언은 세계 10대 반도체 회사가 되었다.

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