AMD는 비용 최적화 FPGA 및 적응형 SoC 포트폴리오에 최신 AMD 스파르탄 울트라스케일+(Spartan™ UltraScale+™) 제품군을 추가했다고 6일 발표했다.스파르탄 울트라스케일+ 디바이스는 다양한 I/O 집약적 엣지 애플리케이션을 위해 높은 비용 및 전력 효율성을 제공한다. 28nm 미만 공정 기술로 구현된 FPGA 중 로직 셀 대비 업계에서 가장 많은 I/O를 갖추고 있으며 이전 세대에 비해 전력소모를 최대 30%까지 절감하는 것은 물론 강력한 보안 기능을 제공한다.엣지 애플리케이션에 최적화된 스파르탄 울트라스케일
국내 반도체 전공정 장비업체인 HPSP(대표 김용운)는 고압어닐링공정(High Pressure Annealing) 및 고압산화공정(High pressure Oxidation)에 관한 연구 개발을 강화하기 위해 세계적인 반도체 연구소인 IMEC과 공동 연구개발 협약을 맺었다고 15일 밝혔다.협약식은 지난 10일 벨기에 루벤 IMEC 본사에서 열렸으며, 양측 주요 임원 및 관계자들이 참석했다. 김용운 HPSP 대표는 "IMEC의 최첨단 연구 프로그램을 통해 HPSP의 고압 공정 장비가 차세대 반도체 제조 공정에 확대 적용될 수 있을 것
인텔은 2023국제전자소자학회(IEDM)에서 미래 반도체 공정 로드맵을 지원할 획기적인 트랜지스터 확장 기술 및 연구개발(R&D) 성과를 공개했다고 11일 밝혔다.이번 행사에서 인텔 연구진은 후면 전력 공급 기술과 후면 직접 접촉 기술을 적용한 3D 적층형 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS)의 진전을 발표했다. 또 후면 전력 공급을 위한 접촉 기술을 소개했으며, 최초로 실리콘 트랜지스터와 질화갈륨(GaN) 트랜지스터를 패키징이 아닌 동일한 300mm 웨이퍼 상에서 대규모 3D 모놀리식 방식으로 통합할 수 있음을 선보였다.트랜지스터
삼성전자가 19일(현지시간) 글로벌 자동차 산업의 메카인 독일 뮌헨에서 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최하고, 최첨단 공정 로드맵과 전장(Automotive) 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했다.이날 삼성전자는 최첨단 2나노 공정부터 8인치 웨이퍼를 활용한 레거시 공정에 이르기까지 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였으며, SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너들은 부스 전시를 통해 최신 파운드리 기술 트렌드와 향후 발전 방향을 공유했다.삼성전자는 지난 9월 초 IAA 행사에 이어 이번 포럼
미국 정부가 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 현지 공장 미국산 반도체 장비 반입 규제 유예를 최종 허가하고 이를 미국 관보에도 게재했다. 이번 조치는 반도체 장비 관련 건별 허가를 받을 필요 없어 수출 통제가 사실상 무기한 유예되는 효과가 있다는 점에서 업계는 반기고 있다. 다만 미국 정부는 첨단 반도체 양산에 필수적인 극자외선(EUV) 노광장비 등 일부 품목은 반입 규제 유예에서 제외했다.지난 13일(현지시간) 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 공장에 대한 ‘검증된 최종 사용자(VEU)’ 규정을 개정한
인텔은 현지시간 19일 연례 개발자 행사인 세번째 인텔 이노베이션(Intel Innovation)을 美 캘리포니아주 산호세에서 개최했다고 밝혔다. 인텔은 올해 행사에서 클라이언트, 엣지, 네트워크 및 클라우드에 이르는 모든 워크로드에서 인공지능 접근성을 높이고 사용할 수 있도록 지원하는 다양한 기술을 공개했다.팻 겔싱어 CEO는 개발자를 위한 기조연설을 통해 인텔이 하드웨어 제품 전반에 걸쳐 AI 기능을 제공하고 있음을 밝히고 오픈소스 기반 멀티 아키텍처 소프트웨어 솔루션을 통해 AI 기능을 활용하는 방법에 대해 소개했다. 겔싱어
초고속 인터페이스 IP(설계자산) 개발 전문기업 퀄리타스반도체(대표 김두호)가 한국거래소로부터 코스닥 상장을 위한 예비심사 승인을 받았다고 31일 밝혔다.퀄리타스반도체는 9월중으로 증권신고서를 제출하고 코스닥 상장 절차에 나설 계획이다. 상장 주관사는 한국투자증권이다.2017년 설립된 퀄리타스반도체는 반도체 IP 전문기업으로 대용량 데이터를 빠르게 처리하는 초고속 인터커넥트 반도체 설계 기술과 FinFET 등 초미세 반도체 공정 하에서의 설계 및 검증 기술을 보유하고 있다.퀄리타스반도체는 국내 최대 규모 기술 인력과 인프라를 보유하
“최근 서버⋅전기차⋅가전제품 등에서 전력 밀도를 높이려는 업계 요구가 커지면서 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨) 반도체 수요가 개화하고 있습니다.”신주용 텍사스인스트루먼츠(TI) 이사는 20일 서울 삼성동에서 열린 기자간담회에서 GaN을 적용한 2세대 FET(전계효과트랜지스터)를 선보였다. 실리콘 기판을 사용하는 반도체와 달리, 화합물 소재를 활용한 반도체는 고온⋅고전압⋅고주파 환경에 대한 내구성이 강하다. SiC(실리콘카바이드, 탄화규소)⋅GaN을 화합물 반도체 기판으로 분류하는데 통상 GaN 반도체를 SiC 대비 더욱 가혹한
지멘스 디지털 인더스트리 소프트웨어, 지멘스 EDA 사업부 (http://www.siemens.com/eda)는 자사의 IC 설계 검증용 ‘캘리버 nm플랫폼(Calibre® nmPlatform)’ 툴이 Intel 16 공정용으로 완전한 인증을 획득했다고 21일 발표했다.이번에 Intel 16 공정용으로 인증된 Calibre nmPlatform 툴 제품으로는 Calibre nmDRC 소프트웨어, Calibre YieldEnhancer™ 소프트웨어, Calibre PERC™ 소프트웨어 및 Calibre nmLVS 소프트웨어가 있다.이번
무선 커넥티비티 맞춤형 시스템온칩(SoC) 솔루션 라이선스 기업인 CEVA가 삼성 어드밴스드 파운드리 에코시스템(Samsung Advanced Foundry Ecosystem, SAFE)에 합류한다고 17일 밝혔다.이를 통해 CEVA는 삼성의 고급 파운드리 공정을 활용해 칩 설계를 간소화하고, CEVA 라이선스의 시장 출시 일정을 단축한다. 삼성 파운드리는 고객에게 경쟁력 있는 공정, 설계 기술, IP 및 대량 생산력을 제공한다.전체 제품군은 28FD-SOI, 14/10/8/5/4nm 핀펫(FinFet) 및 5nm의 극자외선(EUV
인텔파운드리서비스(이하 IFS)와 Arm은 인텔 18A 공정에 저전력 컴퓨팅 시스템 온 칩(SoC)을 설계할 수 있도록 하는 멀티 제너레이션 협력 계획을 13일 발표했다.이번 협력은 우선 모바일 SoC 설계에 중점을 두고 있지만 향후 자동차·사물인터넷(IoT)·데이터센터·항공우주산업 및 정부 애플리케이션으로 설계 확장이 가능하다. 인텔은 IDM 2.0 전략의 일환으로 미국과 EU에서의 대규모 확장을 포함해 전 세계 첨단 제조 역량에 투자하고 있으며 이는 칩에 대한 지속적인 장기 수요를 충족하기 위함이다. 이번 협력을 통해 Arm 기
마우저 일렉트로닉스는 인피니언 테크놀로지스의 EZ-PD™ PMG1-B1 USB Type C™ 마이크로컨트롤러 제품을 공급한다고 7일 밝혔다.EZ-PD™ PMG1-B1 마이크로컨트롤러는 고전압 USB-C 애플리케이션을 위한 통합 원칩 솔루션을 제공한다.마우저 일렉트로닉스가 공급하는 EZ-PD PMG1-B1 마이크로컨트롤러는 고집적 단일 포트 USB-C PD(Power Delivery) 솔루션이다. 이 고전압 프로그래머블 USB PD 시스템은 통합 Arm® Cortex®(-M0/M0+) 프로세서, 128KB 플래시, 16KB RAM 및
인텔은 5일 국제전자소자학회(IEDM) 2022에서 2030년까지 단일 패키지에 1조개의 트랜지스터를 탑재하는 등 무어의 법칙을 지속하기 위한 주요 연구 성과를 발표했다.인텔은 집적도 10배 달성에 기여할 3D 패키징 기술, 리본펫(RibbonFET)을 뛰어넘는 2D 트랜지스터를 위한 원자 3개 두께의 초박형 신규 물질, 더 높은 성능의 컴퓨팅을 위한 에너지 효율성 및 메모리 부문 성과, 양자 컴퓨팅 개선 사례 등을 소개했다.앤 켈러허 박사(Dr. Ann Kelleher), 인텔 기술 개발 부문 총괄 겸 수석부사장이 트랜지스터 발명
인텔은 24일 반도체 업계 학술행사 ‘핫칩스 34(Hot Chips 34)’에서 앞으로도 무어의 법칙을 지속하며 반도체 제조의 새로운 시대를 불러올 수 있는 2.5D 및 3D 타일 기반 칩 설계를 가능하게 하는 최신 아키텍처 및 패키징 분야의 혁신을 공개한다고 밝혔다.팻 겔싱어(Pat Gelsinger) 인텔 CEO는 1995년 고든 무어(Gordon Moore)의 기조연설 이후 두 번째 인텔 CEO로서 기조연설을 진행했다. 팻 CEO는 이번 기조연설을 통해 메테오 레이크(Meteor Lake), 폰테베키오 GPU(Ponte Vec
인텔과 미디어텍(MediaTek)은 25일 인텔 파운드리 서비스(Intel Foundry Services, 이하 IFS)의 첨단 공정 기술을 사용해 칩을 제조한다는 전략적 파트너십을 체결했다고 밝혔다. 미디어텍은 인텔의 공정 기술을 활용해 다양한 스마트 에지 디바이스용 칩들을 제조할 계획이다. IFS는 3차원 핀펫(FinFET) 트랜지스터부터 차세대 로드맵에 기반한 고성능 저전력의 올웨이즈온 커넥티비티에 최적화된 기술을 포함한 광범위한 제조 플랫폼을 제공한다.IFS는 지난해 첨단 반도체 제조 역량에 대한 급증하는 전세계적인 수요를
IBM과 삼성전자가 반도체 트랜지스터에서 전류가 수직 방향으로 흐르는 VTFET(Vertical Transport Field Effect Transistors) 기술을 개발했다. 이를 통해 한정된 반도체 공간 내에 더 많은 수의 트랜지스터를 내장하고, 기존 핀펫(finFET) 대비 최대 85%의 전력을 절감할 수 있다고 발표했다.컨테이너 수직으로 세워 공간을 절감하는 구조 IBM과 삼성전자는 수직 구조의 트랜지스터가 적용된 VTFET를 개발했다고 15일 밝혔다. VTFET은 이전에 낸드플래시 메모리가 수평으로 제조되다가 수직으로 구
TSMC가 지난해 5nm 공정을 양산한 데 이어 올 연말 3nm 공정 생산에 돌입했다. 2일 중국 언론 콰이커지에 따르면 TSMC의 팹18(Fab 18)이 3nm 칩 시생산에 돌입했다.난커(南科)공업단지에 위치한 팹18은 최신 공정이 적용된 생산기지로, 5nm/4nm 공정 공장이 4동, 3nm 공장이 3동 있다. 차세대 3nm 공정은 GAA 트랜지스터를 사용하지 않고 핀펫(FinFET) 공정을 계속 사용할 예정이다. 삼성전자는 3nm GAA 공정을 택했지만 TSMC는 보수적 기술을 택해 다소 빠르게 속도를 내고 있는 것이라고 분석됐
파운드리(반도체 위탁생산) 사업을 재추진 중인 인텔이 글로벌파운드리 인수를 추진한다는 보도가 나왔다. 글로벌파운드리는 대만 TSMC와 삼성전자에 이은 세계 3위 파운드리 회사다. 원래 인텔 라이벌인 AMD의 제조부문이었으나, 지난 2008년 경영난 타계를 위해 분사했다. 현재는 아랍에미리트(UAE) 국부펀드인 무바달라인베스트가 최대주주다. 미국 월스트리트저널(WSJ)은 인텔이 글로벌파운드리를 인수하는 방안을 추진 중이라고 15일(현지시간) 보도했다. WSJ은 이번 딜이 최종 성사될 지는 아직 미지수이나, 인수가는 약 300억달러(약
NXP 반도체는 360도 차량 주변을 총체적으로 감지하고, 이미징 레이더의 식별 및 분류를 가능하게 하는 새로운 레이더 센서 칩세트 솔루션 제품군을 8일 발표했다.새로운 NXP 레이더 프로세서와 77GHz 트랜스시버(transceiver)로 구성된 이 솔루션은 코너 및 전방 레이더 애플리케이션에 대한 신차안전도평가(NCAP) 요구사항을 충족하는 유연하고 확장 가능한 구성을 제공하는 동시에, 4D 이미징 레이더의 상용 가능한 양산 경로를 최초로 자동차 제조업체에 제공한다. 4D 이미징 레이더는 범위와 속도를 측정하는 기존 방식에서 방
4일 인텔 랩스 데이 온라인 행사에서 인텔은 AI의 연산능력을 높일 핵심 기술인 극저온 양자 제어 칩 '호스 리지 II'를 공개했다. 해당 제품은 인텔이 지난해 공개한 호스리지 컨트롤러의 차기작으로, 전자제어를 단순화시킨 것이 특징이다. 짐 클라크(Jim Clarke) 인텔 컴포넌트 리서치 그룹 양자 하드웨어 부문 디렉터는 "호스 리지 II는 극저온 냉장고 내부에서 작동하는 시스템온칩(SoC)에 외부전자 제어장치를 통합했다"며 "대규모 양자 컴퓨팅으로 확장할 수 있는 기반을 열어줄 것으로 전망된다"고 말했다. 극저온