IBM과 삼성전자가 반도체 트랜지스터에서 전류가 수직 방향으로 흐르는 VTFET(Vertical Transport Field Effect Transistors) 기술을 개발했다. 이를 통해 한정된 반도체 공간 내에 더 많은 수의 트랜지스터를 내장하고, 기존 핀펫(finFET) 대비 최대 85%의 전력을 절감할 수 있다고 발표했다.컨테이너 수직으로 세워 공간을 절감하는 구조 IBM과 삼성전자는 수직 구조의 트랜지스터가 적용된 VTFET를 개발했다고 15일 밝혔다. VTFET은 이전에 낸드플래시 메모리가 수평으로 제조되다가 수직으로 구